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- H - électricité
- H10B - Dispositifs de mémoire électronique
- H10B 12/00 - Mémoires dynamiques à accès aléatoire [DRAM]
Détention brevets de la classe H10B 12/00
Brevets de cette classe: 1543
Historique des publications depuis 10 ans
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| 2015 | 2016 | 2017 | 2018 | 2019 | 2020 | 2021 | 2022 | 2023 | 2024 |
Propriétaires principaux
| Proprétaire |
Total
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Cette classe
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|---|---|---|
| Samsung Electronics Co., Ltd. | 131630 |
320 |
| Changxin Memory Technologies, Inc. | 4732 |
271 |
| Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | 10902 |
135 |
| Nanya Technology Corporation | 2000 |
132 |
| Micron Technology, Inc. | 24960 |
118 |
| SK Hynix Inc. | 11030 |
57 |
| Unisantis Electronics Singapore Pte. Ltd. | 604 |
57 |
| Fujian Jinhua Integrated Circuit Co., Ltd. | 355 |
42 |
| Intel Corporation | 45621 |
31 |
| Applied Materials, Inc. | 16587 |
31 |
| Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | 36809 |
30 |
| Yangtze Memory Technologies Co., Ltd. | 1940 |
30 |
| Zeno Semiconductor, Inc. | 236 |
28 |
| Monolithic 3D Inc. | 270 |
27 |
| Kioxia Corporation | 9847 |
26 |
| Winbond Electronics Corp. | 1173 |
23 |
| Beijing Superstring Academy of Memory Technology | 164 |
23 |
| United Microelectronics Corp. | 3921 |
16 |
| Kepler Computing Inc. | 221 |
13 |
| Invention and Collaboration Laboratory Pte. Ltd. | 56 |
10 |
| Autres propriétaires | 123 |